再生障碍性贫血大致分为两种形成方式：一种是先天性的，多于家族贫血患病史有关，另一种是后天养成的，被称之为继发性再生障碍性贫血，大多数的再生障碍性贫血患者都是属于这一类。继发性再生障碍性贫血病因通常比较容易查明，主要有以下几个因素：
药物因素
①剂量过大或长期使用肯定引起再障的药物有：
化学毒物：如苯及衍生物甲苯等；
抗肿瘤药物，如米法兰、长春新碱、环磷酰胺、6-巯基嘌呤、马利兰、氨甲喋呤等；
其他毒性药物，如无机砷等。
②偶可引起再障的药物：
降血糖药：甲苯磺丁脲、氯磺丙脲；
精神安定药：冬眠灵、利眠宁；
抗惊厥药：美散痛、苯妥英钠、三甲双酮、扑痫酮；
抗生素：如氯霉素、磺胺、有机砷类、合霉素、青霉素类、四环素、两性霉素B、卡那霉素、土霉素、链霉素、磺胺异口恶唑；
杀虫药：DDT等；
抗疟药：阿的平、氯喹；
利尿剂：醋氮酰胺。
经过专家鉴定，很多速效的感冒药与再生障碍性贫血有一定的关系。发现众多的临床患者患病之前都有服用速效感冒胶囊的历史。速效感冒胶囊的其中一种成分是扑热息痛，很有可能是致病的根本原因。
电离辐射
电离辐射如X线、放射性同位素等可以直接进入人体细胞，破坏DNA和蛋白质，从而导致细胞破坏，骨髓细胞对电离辐射特别敏感，其中红系细胞最敏感，粒系细胞次之，再次为巨核细胞系，对淋巴细胞也有溶解作用。电离辐射是再障病因之一，早已为广大学者所认识。
继发性再生障碍性贫血是后天养成的，也就是说与患者自身有莫大的关系。所以在再生障碍性贫血的预防首先要做到的是远离以上几种可以治病的因素，尤其是已经患有再障的朋友更要避免接触这些危险因素。
